Vervanger voor flash en dram

Intel en ST Microelectronics werken samen aan een nieuw type geheugen dat in de loop der tijd flash en dram moet gaan vervangen.

De chipfabrikanten presenteren deze maand een document over phase change memory (ook wel eens pram of ovonic unified memory genoemd).

Pcm is een nieuw type geheugen dat in tegenstelling tot dram gegevens kan vasthouden als er geen stroom op staat. Geheugenfabrikanten zijn bijzonder genteresseerd in het nieuwe type, omdat ze middels een nauwkeuriger productieproces chips met een hogere capaciteit kunnen produceren.

ST zegt reeds een 128 Mbit prototype van het nieuwe type hebben ontwikkeld middels het 90 nanometer-procd. Een multigigabit versie geproduceerd middels het 45- of 32 nanometer-procd volgt spoedig, aldus de fabrikant.